2.5D/3D IC测试与TSV可测性设计一、2.5D/3D IC封装与测试概述随着摩尔定律在7nm、5nm及更先进工艺节点逐渐逼近物理极限，传统的二维平面集成方式在性能、功耗、面积（PPA）三要素上已难以满足AI加速、HPC（高性能计算）、5G射频、数据中心等高端应用的需求。业界迫切需要一种能够在更小封装体积内实现更高带宽、更低延迟、更强计算能力的新型集成方案。2.5D/3D堆叠封装技术应运而生，它通过硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）、微凸点（Micro-Bump, μBump）、中介层（Interposer）或硅桥（Silicon Bridge）等关键互连技术，将多个异构芯片（逻辑芯片、高带宽存储器HBM、SerDes PHY、射频Die等）垂直或侧向集成在同一封装内，实现了超越传统SoC的系统级性能。目前主流的2.5D/3D封装技术方案包括：台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术，通过大面积硅中介层实现逻辑芯片与多颗HBM的高密度互连；Intel的EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技术，采用嵌入式硅桥替代全尺寸中介层，在保持信号完整性的同时显著降低成本；台积电的InFO（Integrated Fan-Out）技术，通过重布线层（RDL）实现芯片间的高密度扇出型互连；Intel的Foveros技术则是真正意义上的3D堆叠，将逻辑芯片与I/O Die或SRAM Cache面对面（Face-to-Face, F2F）垂直堆叠，实现最短的互连线长和最高的带宽密度。此外，三星的I-Cube4、AM
2.5D-3D IC测试与TSV可测性设计
2.5D/3D IC测试与TSV可测性设计一、2.5D/3D IC封装与测试概述随着摩尔定律在7nm、5nm及更先进工艺节点逐渐逼近物理极限，传统的二维平面集成方式在性能、功耗、面积（PPA）三要素上已难以满足AI加速、HPC（高性能计算）、5G射频、数据中心等高端应用的需求。业界迫切需要一种能够在更小封装体积内实现更高带宽、更低延迟、更强计算能力的新型集成方案。2.5D/3D堆叠封装技术应运而生，它通过硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）、微凸点（Micro-Bump, μBump）、中介层（Interposer）或硅桥（Silicon Bridge）等关键互连技术，将多个异构芯片（逻辑芯片、高带宽存储器HBM、SerDes PHY、射频Die等）垂直或侧向集成在同一封装内，实现了超越传统SoC的系统级性能。目前主流的2.5D/3D封装技术方案包括：台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术，通过大面积硅中介层实现逻辑芯片与多颗HBM的高密度互连；Intel的EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技术，采用嵌入式硅桥替代全尺寸中介层，在保持信号完整性的同时显著降低成本；台积电的InFO（Integrated Fan-Out）技术，通过重布线层（RDL）实现芯片间的高密度扇出型互连；Intel的Foveros技术则是真正意义上的3D堆叠，将逻辑芯片与I/O Die或SRAM Cache面对面（Face-to-Face, F2F）垂直堆叠，实现最短的互连线长和最高的带宽密度。此外，三星的I-Cube4、AM
